长鑫科技副总裁骆晓东：算力超级周期迈入分层时代

演讲主体长鑫科技的最直接A股映射：2026-03-31公告向长鑫集团（长鑫存储技术、长鑫科技合肥）采购代工DRAM，2026年度额度8.25亿美元约57.11亿元，2025年实际发生11.82亿元；董事长朱一明兼任长鑫科技集团董事长，长鑫集团构成关联法人。26Q1利基DRAM收入环比翻倍以上、占总营收约三分之一，归母净利14.61亿元同比+522%。资金面5日主力净流出约4.2亿元，短期注意利好兑

新闻称服务器市场需求占比已超50%，公司正是服务器内存模组核心芯片商：2025年报及ESG报告披露按2024年收入计为全球最大内存互连芯片供货商、份额36.8%，DDR5 RCD/DB用于RDIMM/LRDIMM，MRCD/MDB用于MRDIMM高带宽模组；报告期已完成DDR5第五子代RCD（8000MT/s）与第二子代MRCD/MDB（12800MT/s）量产版研发。5日主力净流入约1.81亿元

2025年报释义将合肥长鑫/长鑫存储列为存储晶圆原厂供应商，并明确与主要NAND及DRAM原厂签长期协议；年报称本土原厂扩产将带动封装测试与解决方案环节需求。企业级存储含CXL DRAM模组、RDIMM面向AI服务器，车规级LPDDR/eMMC/BGA SSD对应汽车存储；26Q1 AI新兴端侧存储收入11.75亿元、同比+496.45%，覆盖新闻三大分层市场。

2025年报：企业级DDR5内存条覆盖16GB至256GB全容量，最大256GB DDR5 RDIMM已完成AMD Threadripper PRO 9000WX兼容性认证，并在鲲鹏、海光、飞腾等国产CPU服务器平台完成兼容性验证。2026-02-11定增问询回复点名以长江存储、长鑫存储为代表的国产存储晶圆厂实现实质性突破，募投项目聚焦企业级SSD与企业级RDIMM。5日主力净流入约1.12亿元。

2025年报：半导体封测以深圳、合肥双基地运营，子公司合肥沛顿存储获国家专精特新小巨人资质，聚焦存储芯片封装测试，产品含DDR3/DDR4/DDR5/LPDDR5、eMMC等；2025半年报披露创新研发LPDDR5的PoPt超薄叠层封装方案，配合高导热模封料使热管理效率提升30%，已通过客户认证并进入量产导入，直接承接本土DRAM扩产的封测环节。

2025年度业绩快报（2026-04-07）：得益于AGI与IDC建设带来的企业级存储需求增长，自主品牌海普存储已推出企业级SSD与企业级DRAM两大产品线，完成部分国内主要服务器平台认证适配并进入量产，该板块首次实现年度盈利；归母净利5.44亿元、同比+106.06%，营业利润同比+182.42%。年报同时披露SK海力士为核心DRAM供应商。

对应新闻汽车存储2030年前复合增速约30%的分层判断：2025年报披露公司车规SRAM、车规DRAM与车规Nor Flash产品收入在国际市场处于前列，在全球车规存储市场占据重要产业地位，客户对标英飞凌、美光、三星。2026-03-28质量回报双提升进展公告称利基型DRAM受存储超级周期影响，2025年第四季度需求快速增长，带动存储芯片收入同比增长。

2025年报存储芯片制程设备章节与演讲判断一致：2025年存储芯片市场进入景气度上行的超级周期，HBM凭高带宽低延迟成为AI服务器核心存储方案，DRAM技术迭代推动存储密度与性能提升，全球存储厂商加速扩产且产能向HBM及高端3D NAND倾斜，带动全产业链设备需求激增，高深宽比工艺设备与HBM专用TSV设备（深孔刻蚀、ALD、铜种子层PVD、电镀填充）成为新增长点。

2025年年度股东会资料：公司是业内少数具备向行业主要内存模组厂商直接供应配套芯片资质的企业之一，拥有配套DDR2/3/4/5内存模组的全系列SPD芯片与TS芯片组合，DDR5 SPD销量和收入较上年快速增长，成为收入扩张与盈利提升的重要驱动力；DDR5服务器内存模组需配置1颗SPD、1颗PMIC和2颗TS，服务器占比超50%直接放大其单机配套价值量。

2025年报摘要判断与本次演讲同构：受AI服务器对HBM、服务器DRAM及企业级SSD需求快速提升影响，全球存储产业由传统周期波动演化为AI需求驱动下的结构性紧平衡，直接利好具备高端测试能力的设备厂商。公司以DRAM测试设备为基础纵向延伸分选机、探针台并强化HBM及先进封装技术，产品含DRAM FT测试机、BI老化测试设备；2026-02-28可行性报告引Omdia预计全球DRAM市场从2024年

2025年报摘要：伴随重点战略客户持续发展，公司再次为战略客户在武汉、合肥、北京的扩产项目提供配套供气服务，截至2025年末已累计获得10座12英寸晶圆厂客户认可，且单个现场制气项目通常仅有一个供应商、供气期一般15年，具备长周期高稳定性。国金证券2026-06-21研报指公司已签订合肥、北京长鑫两个项目共计13.9万Nm3/h，是长鑫存储重要气体供应商。

2026-02-04定增募集说明书：2025年第三季度以来头部科技厂商加大AI存算基础设施投入，服务器和数据中心存储需求爆发式增长，美光、三星、海力士等原厂宣布涨价，存储市场量价齐升；引用CFM数据预计2026年服务器存储需求增速达50%，超过PC与嵌入式。募投项目提升DRAM内存产品产能，公司称2025年四季度以来随AI需求爆发业绩全面复苏。

2025年报：薄膜沉积与光刻、刻蚀并称前道制造三大核心装备，是实现3D DRAM、高带宽存储器HBM等先进存储领域技术突破的核心支撑，公司在国内量产型PECVD、ALD、SACVD等国产设备中常年保持第一且绝对领先；定增项目新增600台套年产能力投向3D NAND及DRAM设备。招商证券2026-06-03研报指长鑫DDR5/LPDDR5已规模化量产，合肥一期二期与北京产线预计2026年基本达产。

2026-01-27定增问询回复：对先进制程和高带宽存储器HBM的投资加大共同驱动测试设备需求，2025年全球半导体测试设备销售额预计进一步增长23%；公司CP12-Memory存储芯片测试探针台处于客户端验证阶段，国产化率低。东吴证券2026-06-23研报指国内长鑫存储已启动HBM扩产、计划IPO募集295亿元，HBM使CP测试道数由3至4道提升至15道以上。

2025年报摘要直接印证新闻的分层逻辑：三星、SK海力士、美光等国际三大原厂持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM等高性能高附加值领域倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为中国大陆及中国台湾供应商创造战略发展机遇；公司DRAM产品容量覆盖512Mb至32Gb，利基DRAM市场呈现区别于标准存储市场的强抗周期属性。

2025年报：公司半导体前驱体包括high-k材料、硅基材料和金属材料，广泛运用于3D NAND、NOR Flash等存储芯片以及DRAM内存芯片和逻辑芯片先进制程，并开发AI先进封装复杂芯片组所需前驱体；江苏先科前驱体国产化项目产品陆续通过国内客户端测试验证、产线转入批量试生产，2025年前驱体材料销售收入继续增长。个股档案概念含内存与高带宽存储器HBM。

中邮证券2026-02-24研报披露，公司硅零部件已进入长江存储、长鑫存储等中国主流存储芯片制造厂供应链，并供货北方华创、中微公司等刻蚀设备厂，以高端品类为主，自2025年第三季度起根据下游需求持续扩产；2026年中国大陆硅零部件市场规模约70亿元、国产化率不足10%。该关联目前仅有研报证据支撑，故评分上限受限。